上海电流传感器案例

磁场传感器是可以将各种磁场及其变化的量转变成电信号输出的装置。自然界和人类社会生活的许多地方都存在磁场或与磁场相关的信息。利用人工设置的长时间磁体产生的磁场， 可作为许多种信息的载体。因此，探测、采集、存储、转换、复现和监控各种磁场和磁场中承载的各种信息的任务，自然就落在磁场传感器身上。在当今的信息社会中，磁场传感器已成为信息技术和信息产业中不可缺少的基础元件。目前，人们已研制出利用各种物理、化学和生物效应的磁场传感器，并已在科研、生产和社会生活的各个方面得到非常多的应用，承担起探究种种信息的任务。电流传感器是一种将测量电流转换成电压信号的设备，常用于电力、工业控制和汽车领域等。上海电流传感器案例

零磁通门电流传感器的特点是，通过动态调整，使磁芯处于“动态零磁通”状态。这种技术可测量直流和交流，具有较高的精度和灵敏度以及较低的温漂及零漂，并且降低了由磁滞现象造成的误差，提高了传感器的灵敏度、线性度，同时可利用变压器效应测量中、高频的交流。占空比模型的励磁电压电流传感器，通过数字电路测量激磁电压占空比实现信号解调，不存在开环测量时解调精度随测量范围增大而变差的问题，可实现直流大电流的开环准数字式测量。磁致伸缩电流传感器如，是一种基于磁致伸缩应变测量的铁磁材料磁通传感器，其磁芯采用铁磁材料。当磁芯机械应变时，铁磁材料磁导率变化，通过测量磁芯两端的感应电压，计算得到被测电流。双向饱和磁通门电流传感器，利用激励电流和被测电流共同作用于磁探头使磁芯交替处于正负饱和状态，测量磁感应强度为零时的磁场强度，得出被测的电流值。由于构成磁通门电流传感器的材料和器件的性能会受到温度变化的影响，而材料性能的变化也会影响电流传感器温度的稳定性及其在高温环境中的应用。为使电流传感器温度的稳定性得到进一步提高，业界通常采用闭环配置的磁通门电流传感器以减少温度的漂移。合肥工控级电流传感器价钱磁通门电流传感器具有高精度、低温漂、非常低的非线性失真等优点。

开环霍尔与闭环霍尔的比较：带宽不同，气隙处的磁场始终在零磁通附近变化，由于磁场变化幅度非常小，变化幅度小，变化的频率可以更快，因此，闭环式霍尔电流传感器具有很快的响应时间。实际的闭环式霍尔电流传感器带宽通常可以达到100kHz以上。而开环式霍尔电流传感器的带宽通常较窄，带宽在3kHz左右。 精度不同，开环式霍尔电流传感器副边输出与磁芯气隙处的磁感应强度成正比，而磁芯由高导磁材料制作而成，非线性和磁滞效应是所有高导磁材料的固有特点，因此，开环式霍尔电流传感器一般线性度角差，且原边信号在上升和下降过程中副边输出会有不同。开环式霍尔电流传感器精度通常劣于1%。闭环式霍尔电流传感器由于工作在零磁通状态，磁芯的非线性及磁滞效应不对输出造成影响，可以获得较好的线性度和较高的精度。闭环式霍尔电流传感器精度一般可达0.2%。 开环霍尔和闭环霍尔都存在磁饱和问题，开环问题表现比较直接，当原边电流过大时，磁场强度超过了磁化曲线的正常工作范围，就会发生磁饱和；闭环霍尔在零磁场下工作，但遇到非正常情况也会出现磁饱和，简单说当副边线圈未供电或者原边电流过大时，磁饱和会发生。

光伏发电系统中漏电流的检测存在以下问题：（1）漏电电流是毫安级，而负荷电流是安培级，在数量级上相差很大，并且二者在电流传感器中同时存在。这使得漏电电流的检测与绝缘诊断领域和电气测量技术领域内的一般电流测量方法不同，并且漏电电流传感器需要满足更高的灵敏度和抗干扰性要求。然而，在大负荷电流时，载流导体周围产生很强的磁场，会影响到剩余电流传感器的输出特性，产生“假剩余电流”，可能导致漏电保护器的误动作；（2）光伏发电系统中存在严重的高频杂散磁场，也导致电流传感器的性能受到很大的影响。上述两点使得漏电电流的准确检测与识别更加困难。通过现有技术方案分析可知，现有的漏电电流传感器并不能很好地应用于光伏并网发电系统中。用电设备通过电流传感器来实现测量、检测、保护、反馈控制等功能。

饱和电感的电感数值依赖于磁芯的磁导率，磁通密度高的时候磁芯饱和，电感值较低。低磁通密度时，电感值则较高。外部磁场的变化影响磁芯的饱和水平，进而改变磁芯导磁系数，然后影响电感值。因此，当存在外界磁场时将会改变场测量的电感值。如果饱和电感设计充分，这种改变非常明显。磁通门探头的磁通变化由激励电流以及初级被测电流的共同变化得出。由于被测初级电流上的存在引起电感值变化，应用闭环原理进行检测以及补偿，补偿电流输入到传感器的次级线圈中，使得开口处场强为0,电感返回至一个参考值。初级电流和次级电流的关系就会由匝数比很明确的给出来。在新型磁通门电流传感器中，传感器探头是关键部件。镇江充电桩检测电流传感器供应商

确保电流传感器高效和准确的测量，具有非常高的检测质量、极其平坦的频率响应和出色的直流稳定性。上海电流传感器案例

霍尔效应是电磁效应的一种，这一现象是美国物理学家霍尔（E.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机制时发现的。当电流垂直于外磁场通过半导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场，从而在半导体的两端产生电势差，这一现象就是霍尔效应，这个电势差也被称为霍尔电势差。霍尔效应是霍尔电流传感器的工作原理。霍尔电流传感器是基于磁平衡式霍尔原理，从霍尔元件的控制电流端通入电流Ic，并在霍尔元件平面的法线方向上施加磁感应强度为B的磁场，那么在垂直于电流和磁场方向（即霍尔输出端之间），将产生一个电势VH，称其为霍尔电势，其大小正比于控制电流I与磁感应强度B的乘积。上海电流传感器案例